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会员年限:13年
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和
DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
产品特性
8A, 800V, RDS(on)=
1.55Ω(值)@VGS = 10
V, ID =4A
低栅极电荷(典型值 35nC)
低 Crss(典型值 13pF)
100%经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准
应用场景
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