相关证件: 
会员类型:
会员年限:13年
TK6A60D晶体管/功率MOSFET/Nch 500V<VDSS≦700V
属性 |
值 |
条件 |
部件型号 |
TK6A60D |
|
极性 |
N沟 |
|
漏源电压VDSS |
600 V |
|
漏电流ID |
6 A |
|
漏功耗PD |
40 W |
|
门电荷总数Qg(nC) (标准) |
16 |
|
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V |
1.25 Ω |
|
封装 |
TO-220SIS |
|
管脚数 |
3 |
|
表面安装型 |
N |
|
产品分类 |
功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) |
|
装配基础 |
Malaysia, Japan |
|
RoHS Compatible Product(s) (#) |
Available |
|
TK10A60D晶体管/功率MOSFET/Nch 500V<VDSS≦700V
属性 |
值 |
条件 |
部件型号 |
TK10A60D |
|
极性 |
N沟 |
|
漏源电压VDSS |
600 V |
|
漏电流ID |
10 A |
|
漏功耗PD |
45 W |
|
门电荷总数Qg(nC) (标准) |
25 |
|
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V |
0.75 Ω |
|
封装 |
TO-220SIS |
|
管脚数 |
3 |
|
表面安装型 |
N |
|
产品分类 |
功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) |
|
装配基础 |
China, Malaysia, Japan |
|
RoHS Compatible Product(s) (#) |
Available |
|
TK12A60U晶体管/功率MOSFET/Nch 500V<VDSS≦700V
属性 |
值 |
条件 |
部件型号 |
TK12A60U |
|
极性 |
N沟 |
|
漏源电压VDSS |
600 V |
|
漏电流ID |
12 A |
|
漏功耗PD |
35 W |
|
门电荷总数Qg(nC) (标准) |
14 |
|
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V |
0.4 Ω |
|
封装 |
TO-220SIS |
|
管脚数 |
3 |
|
表面安装型 |
N |
|
产品分类 |
功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) |
|
装配基础 |
Malaysia, Japan |
|
RoHS Compatible Product(s) (#) |
Available |
|
TK15A60U晶体管/功率MOSFET/Nch 500V<VDSS≦700V
属性 |
值 |
条件 |
部件型号 |
TK15A60U |
|
极性 |
N沟 |
|
漏源电压VDSS |
600 V |
|
漏电流ID |
15 A |
|
漏功耗PD |
40 W |
|
门电荷总数Qg(nC) (标准) |
17 |
|
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V |
0.3 Ω |
|
封装 |
TO-220SIS |
|
管脚数 |
3 |
|
表面安装型 |
N |
|
产品分类 |
功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) |
|
装配基础 |
日本, 马来西亚 |
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RoHS Compatible Product(s) (#) |
Available |
现货供应全系列东芝TOS场效应管TK5A60W、TK6A60W、TK7A60W、TK8A60W、TK10A60W、TK12A60W、TK16A60W、2SK3564、
2SK3565、2SK3742、2SK3798、2SK3799、2SK4013、2SK4014、TK10A50D、TK10A55D、TK10A60D、TK11A50D、TK11A55D、
TK11A60D、TK11A65D、TK12A50D、TK12A53D、TK12A55D、TK12A60D、TK12A60U、TK12A65D、TK13A50D、TK13A55DA、
TK13A60D、TK13A65D、TK13A65U、TK14A55D、TK14A65W、TK15A50D、TK15A60D、TK15A60U、TK4A60D、TK4A65DA、
TK5A55D、TK5A60D、TK5A65DA、TK5A65D、TK6A53D、TK6A55DA、TK6A60D、TK6A65D、TK7A55D、TK7A65D、TK8A50D、
TK8A55DA、TK8A60DA、TK8A65D、TK9A55DA、TK9A60D
公司:深圳市华帝电子有限公司